10月27日，日本国立佐贺大学电气电子工程系西尾光弘（Mitsuhiro Nishio）教授和田中徹（Tooru Tanaka）副教授应邀访问中国科学院兰州化学物理研究所，期间分别作了题为“Growth of ZnTe-related alloys for pure-green light emitting diodes”和“Recent progress of ZnTe-based optoelectronic devices”的学术报告。
目前商业化的绿光LED主要基于InGaN及GaP材料体系，但前者组分不易控制，后者为间接带隙半导体，因而与蓝光及红光LED相比，绿光LED的发光效率仍相对较低。西尾光弘教授团队致力于ZnTe基纯绿光LED的开发研究，该材料体系为直接带隙半导体，本征发光带即位于550nm的纯绿光区域，且制作成本较为低廉。西尾教授在报告中详细介绍了利用MOCVD外延方法获得p型ZnTe及其合金（ZnXMg1-XTe、ZnXMg1-XSeyTe1-y）高质量外延层的重要工艺，探讨了上述合金材料在构筑多量子阱体系和实现n型掺杂中的应用，并对ZnTe基绿光LED的最新研究进展做了评述。中间带太阳能电池可有效扩展太阳能电池的光吸收波段，进一步提高单节电池的理论转化效率，是目前新概念太阳能电池领域内的研究热点。田中徹副教授在报告中介绍了ZnTe:O基中间带太阳能电池中的多光子吸收现象，并进一步探讨了通过应用新窗口材料层等提高ZnTe:O基中间带太阳能电池性能的可能途径。
西尾光弘（Mitsuhiro Nishio）教授，1986年获日本国立名古屋大学工学研究科工学博士学位，历任日本国立佐贺大学理工学部电气电子工程系助理教授、讲师、副教授， 1999年起至今任教授。期间曾担任岡崎国立共同研究机构分子科学研究所副教授，佐贺大学Venture Business Laboratory副主任，佐贺大学理工学部电气电子工程系主任等职务。现为日本放射光学会、日本真空学会、电气学会、应用物理学会会员。主要从事II－VI族化合物半导体材料的外延生长以及其光电器件的研究开发。在高质量ZnTe基合金外延层的MOCVD生长、高效ZnTe基纯绿光发光二极管的开发和商业化应用等领域有重要贡献。合著专著13部，在国际重要刊物发表论文180多篇。
田中徹（Tooru Tanaka）副教授，2000年获日本国立丰桥技术科学大学电气电子工程系工学博士学位，2000年4月至2009年1月任日本国立佐贺大学理工学部电气电子工程系助理教授，2009年2月至今任副教授；2009年10月至2010年9月，在美国劳伦斯伯克利国家实验室做访问学者，2010年10月起兼任日本科学技术振兴机构（JST）PRESTO研究员。现为美国电气和电子工程师协会（IEEE）、日本放射光学会、日本应用物理学会、日本电气学会会员。主要从事新型高效绿色发光二极管、中间带半导体太阳能电池、以及多元化合物半导体薄膜太阳能电池的研究开发。已在Appl. Phys. Lett.，J. Appl. Phys.等国际重要期刊发表文章120多篇。
西尾光弘（Mitsuhiro Nishio）教授作报告
田中徹（Tooru Tanaka）副教授作报告
