报 告 人：曾海波, 南京理工大学教授，纳米光电材料研究所所长 

　　报告题目：光电纳米晶的缺陷效应：超薄半导体、发光量子点、柔弹性电极 

　　报告时间：4月29日（星期三）上午10:00 

　　报告地点：理化楼三楼学术厅 

　　报告摘要：对于半导体的光电功能而言，缺陷既是不可避免的影响因素，也是必要的调控手段，而且在纳米材料中表现更为独特。另一方面，超薄半导体、发光量子点、柔弹性电极，是当前新兴的柔性及穿戴式器件必要的材料基础。本报告围绕纳米晶光电功能的缺陷效应展开，包括如下三方面。1），依据维度缺陷设计新型超薄半导体【1-4】：实验实现了白石墨烯导电性转变、单层硫化钼相杂化电容提升、多层黑磷化学掺杂光探测器；设计了砷烯、锑烯等一系列VA族新型二维半导体，揭示了其高稳定性、可调带隙、高迁移率，及潜在电子、光电子、应力传感应用前景。2），基于缺陷态发展无毒无稀土发光纳米晶【5-9】：提出了氧化锌蓝色发光的间隙锌缺陷态模型；实现了碳点高效固态发光与背光源白光LED。3），利用杂质提升柔弹性透明电极性能【10-13】：发展了掺杂纳米晶的普适性一锅热解合成方法；实现了氧化锌纳米晶的高质量n型掺杂，大幅度提升了柔性电极性能；实现了铜纳米线表面的镍合金化，将弹性电极稳定性由几天提高到1200多天；初步实现柔性LED应用。 

　　参考文献： 

　　1.Zeng,* et al., Nano Letters, 10, 5049 (2010). 

　　2. Zhao, Zeng,* et al., NPG Asia Mater. 2015, doi:10.1038/am.2015.8. 

　　3.Li, Zeng,* et al., NPG Asia Mater. 2015, doi:10.1038/am.2015.11.  

　　4. Zhang, Zeng,* et al., Angew. Chem. In. Ed. 54, 3112 (2015).  

　　5.H. Zeng* et al. ACS Nano 2, 1661 (2008). 

　　6. H. Zeng* et al. Advanced Functional Materials 20, 561 (2010). 

　　7. H. Zeng* et al. Advanced Functional Materials 22, 1333 (2012). 

　　8. Li, Zeng* et al. Angew. Chem. In. Ed. 54, 1759 (2015). 

　　9. Wu, Zeng,* et al., Angew. Chem. In. Ed. 2015, DOI: 10.1002/anie.201501912. 

　　10.Song, Zeng,* et al., Angew. Chem. In. Ed. 2015, DOI: 10.1002/anie.201501233R1. 

　　11. Song, Zeng,* et al., Angew. Chem. In. Ed. 54, 462 (2015).  

　　12.Song, Zeng,* et al., Nano Letters, 14, 6298 (2014).  

　　13.Song, Zeng,* et al., Advanced Materials, 25, 5677 (2013).