江政，杨成韬，霍伟荣，赵鹏

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054

摘要: 利用磁控溅射方法在Si（001）基片上制备Ti/Pt底电极，其厚度大概分别为20、100 nm，其中Ti电极作为缓冲层，随后在上面溅射PZT铁电薄膜.研究了不同电极的制备工艺对电极形貌、取向以及对PZT铁电薄膜的制备带来的影响.结果表明，底电极的溅射温度以及退火温度对于底电极起着至关重要的作用，同时具有良好（111）取向的、致密性较好的底电极对于PZT铁电薄膜的生长具有重要的影响.

关键词: 磁控溅射；PZT铁电薄膜；底电极；退火

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《分析测试技术与仪器》，2010, 16(2):78~82