王雪蓉，魏莉萍，郑会保，刘运传，孟祥艳，周燕萍
(中国兵器工业集团公司第五三研究所，山东 济南 250031)
摘要: 利用高分辨X射线衍射（HRXRD）技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的Al组分含量为0.63的AlGaN外延膜进行晶格参数的精确计算。通过对Al0.63Ga0.37N的对称晶面和非对称晶面进行ω/2θ扫描，以及对零点误差和晶面间距的修正，能够计算得到六方晶系Al0.63Ga0.37N外延膜的水平晶格常数a和垂直晶格常数c分别为0.313 01 nm和0.505 96 nm.通过对各种影响因素的分析和校正，可以得出二者的测量偏差分别为0.000 01 nm和0.000 02 nm.。
关键词: A1GaN；高分辨X射线衍射；晶格常数；测量偏差
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《分析测试技术与仪器》，2010, 16(3):152~156
