王希涛,钟顺和*,秦春红,肖秀芬
(天津大学化工学院,天津市应用催化科学与工程重点实验室,天津300072 )
摘要: 用等体积浸渍法制备了一系列ZnS-CdS/SiO2复合半导体硫化物, 采用XRD、 TPR、 UV-vis DRS和连续流动光催化反应对半导体材料的表面结构、能带结构、光吸收性能以及光催化反应性能进行了研究。结果表明:ZnS和CdS在载体表面发生复合作用, 形成了CdxZn1-xS复合物, 这种复合作用与焙烧温度以及ZnS/CdS比例有关, 当煅烧温度为450℃且ZnS/CdS=1时, 复合作用最强;ZnS和CdS间的复合效应对半导体材料的能带结构、吸光性能以及光催化性能产生了影响。 复合作用越强其光催化CO2和CH4反应性能越高。
关键字:复合半导体;光催化;硫化锌; 硫化镉
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《分子催化》,2010, 24(4):358~362