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添加TiN对MoS2基复合薄膜结构和性能的影响
2011-03-02 | 【】【打印】【关闭】                

摘要: 通过磁控反应溅射方法制备MoSx-TiN复合薄膜,研究添加少量TiN对MoS2基薄膜结构和性能的影响。薄膜的结构和性能通过X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及UMT-2多功能微摩擦磨损试验机等进行了表征。结果表明:与纯MoS2薄膜相比,少量TiN的添加使得MoSx-TiN复合薄膜(002)晶面择优取向且结构致密。与纯MoS2和MoS2-Ti薄膜相比,MoSx-TiN复合薄膜在潮湿大气条件下具有更优异的摩擦磨损性能,更低的摩擦系数。

关键词: MoS2;TiN;磁控反应溅射;摩擦磨损性能

作者 单位

李倩倩 1.上海交通大学 材料科学与工程学院,上海 200240; 2.纳米技术及应用国家工程研究中心,上海 200241 

尹桂林 纳米技术及应用国家工程研究中心,上海 200241  

郑慈航 上海交通大学 材料科学与工程学院,上海 200240  

余震 上海交通大学 材料科学与工程学院,上海 200240  

何丹农 1.上海交通大学 材料科学与工程学院,上海 200240; 2.纳米技术及应用国家工程研究中心,上海 200241 

E-mail: hdnbill@yahoo.cn 

《摩擦学学报》,2011,31(1):40~44

来源:
评 论
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