摘要: 采用化学机械抛光（CMP）方法对钛基片进行纳米级平坦化处理，通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后，得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率。抛光液的电化学分析结果表明：二氧化硅颗粒和乳酸在钛表面有不同程度的吸附缓蚀作用，氨水和F-的络合、扩散作用能破坏缓蚀膜层，两者的中间平衡状态才能得到最佳抛光效果。抛光后钛表层XPS测试结果显示钛表层经过化学氧化形成疏松氧化层后，再通过磨粒和抛光垫的机械作用去除。
关键词: 钛基片；化学机械抛光；纳米级粗糙度；抛光机理
作者 单位
戴媛静 清华大学 摩擦学国家重点实验室, 北京100084
裴惠芳 深圳清华大学 研究院, 广东 深圳518057
潘国顺 1. 清华大学 摩擦学国家重点实验室, 北京100084; 2. 深圳清华大学 研究院, 广东 深圳518057
刘岩 深圳清华大学 研究院, 广东 深圳518057
E-mail: shizuka0609@163.com
《摩擦学学报》,2011,31(2):131~136
